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高同强; 池保勇; 王志华;
清华大学电子工程系;
北京100084;
清华大学微电子学研究所;
E类功率放大器; 互补金属氧化物半导体(CMOS); 漏端调制; 功率控制; 传输线;
机译:完全集成的2.4 GHz CMOS大功率放大器,采用并行A&B类功率放大器和功率合并变压器,用于WiMAX应用(会议论文)
机译:采用纳米级CMOS技术的E类和A类功率放大器的可靠性评估
机译:功率控制的1类蓝牙CMOS功率放大器的设计
机译:采用45nm CMOS的31.5dBm相移D类功率放大器,通过动态功率控制提高了退避效率
机译:集成CMOS功率放大器和高效F类氮化镓功率放大器的线性化技术。
机译:适用于超声设备应用的J类功率放大器实现
机译:一种改进的CmOs E类功率放大器功率控制方法
机译:采用CmOs有源像素方法实现的低功耗数码相机芯片
机译:采用超低压CMOS的AB类功率放大器
机译:具有脉宽调制共模控制的D类放大器及其相关的实现D类放大器的方法
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