混合故障模型下离散 Hopfield 联想存储器的鲁棒性

摘要

离散 Ｈｏｐｆｉｅｌｄ 联想存储器（ Ｄ Ｈ Ａ Ｍ）在联想记忆方面有很大的优点，但是在硬件实现过程中存在着各种故障。对于软硬故障同时存在情况下 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的性能进行分析是很有必要的。该文对 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 建立了同时包含权值误差、权值断路、神经元输出固值等各种软、硬故障的故障模型，定义了概率意义下 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的鲁棒性。运用概论统计的方法推导出了运行于同步方式下 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的鲁棒性，推导中对结果进行了近似处理。对 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 系统进行了仿真实验，与利用这种鲁棒性分析方法计算进行了对比，结果相差非常小，证实了此方法的正确性，可以用于 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的可靠性计算。