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谢生; 王雪飞; 兰馗博; 毛陆虹; 董威锋; 丛佳; 孙邵凡;
天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室;
天津大学电气自动化与信息工程学院;
光电探测器; 响应度; 弱光探测; CMOS; 工艺;
机译:高响应度谐振腔增强型InGaAs GaAs量子点光电探测器,室温下波长约为1μm
机译:基于等离子体纳米腔的高响应度宽带光电导太赫兹探测器
机译:基于Graphdiyne的柔性光电探测器,具有高响应度和探测器
机译:基于绝缘体上硅的高响应度光电探测器
机译:硅纳米线光电晶体管:设计,制造和表征高响应度的宽带光电探测器。
机译:片上集成硅石墨烯等离子具有高响应度和雪崩光增益的肖特基光电探测器
机译:光电探测器:基于甲脒卤化物卤化物钙钛矿量子点 - 石墨烯杂交杂交杂交杂交体的高响应度光电探测器(部分。部分。SYST。挑战。4/2018)
机译:基于GaN外延层的高响应度UV光电导体
机译:具有高响应度的快速P-I-N光电探测器
机译:具有矩形栅电极布局特征的半导体器件的单元布局以及具有相同数量的PMOS和NMOS晶体管的晶体管,该PMOS和NMOS晶体管具有相应的p型和n型扩散区,中间无源区分开
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