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闫淑霞; 张爽;
天津工业大学 电子与信息工程学院 天津 300387;
天津工业大学 天津市光电检测技术与系统重点实验室 天津 300387;
Neuro-SM; 输出映射神经网络; HBT晶体管; 直流特性; 建模;
机译:具有伪非晶GaAsSb基的GaAs双异质结双极晶体管(DHBT)的直流特性分析
机译:基于精确电荷控制特性的二维电子气场效应晶体管的直流,小信号和噪声建模
机译:基于新型提取方法的有机薄膜晶体管包括其寄生非线性接触效应的紧凑直流建模
机译:新型InGaP / GaAs HBT的直流和交流特性中的隧道效应
机译:GaN基异质结场效应晶体管的直流,微波和噪声特性及其可靠性问题。
机译:用于温度传感器的碳化硅结型场效应晶体管的特性建模和设计参数辨识
机译:发射极方向对GalnP / GaAs HBT的直流和低频噪声特性的影响
机译:基于sb的双异质结双极晶体管(DHBT),Fmax> 650 GHz,适用于340 GHz发送器
机译:使用具有自校正方案的单电路仿真对晶体管的直流散射特性与直流特性同时生成晶体管的散射参数的方法
机译:沿50-OHM电阻器代表输电线路阻抗的人工直流电压下降的人工修正方案,通过单回路模拟和自校正方案,利用直流电特性同时生成带有直流特性的晶体管交流散射参数
机译:用硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)集成栅全部(GaA)晶体管(HBT)
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