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高圣伟; 贺琛; 刘赫; 董晨名;
天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室 天津 300387;
天津金沃能源科技股份有限公司 天津 300382;
单体增强型GaN HEMT; 交错并联全桥LLC谐振变换器; 寄生参数; 单移相控制; 三移相控制; 损耗分析;
机译:电动汽车电池充电器全桥三电平LLC谐振变换器的调制方法
机译:轻载条件下高效全桥LLC谐振变换器的负载自适应相移控制分析
机译:LLC谐振变换器中全桥同步整流器的混合驱动方案
机译:全桥LLC谐振变换器的导通损耗分析和优化设计
机译:木结构结构的损耗分析和基于损耗的抗震设计。
机译:通过自对准双倍外延横向过生长制造的电驱动高效的基于GaN的三维GaN发光二极管
机译:高频双降压全桥逆变器功率损耗分析及改进仿真方法
机译:基于仿真方法的并联系统可靠性分析
机译:基于PFC交错反激全桥的智能正弦波电压转换电路
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:表观生长的基质,制造基于GaN的半导体膜的过程,基于GaN的半导体膜,制造基于GaN的半导体发光元件和基于GaN的半导体发光元件的过程
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