硒化钨薄膜的制备与光电特性研究

摘要

采用热蒸发法在硅片上沉积了不同微结构的硒化钨(WSe2)薄膜,研究了薄膜的晶体结构和光电特性.发现WSe2薄膜在(004)晶面择优生长,表面呈现垂直柱状纳米线.同时,WSe2薄膜在406 nm处出现较强的蓝光发射,这是由于量子尺寸效应导致的WSe2导带与价带形成的分离能级产生的短波长发射,使其可用于制备蓝光发光器件.另外,发现该WSe2薄膜对光照和温度非常敏感.随温度升高薄膜的电阻率显著减小,使其可用于制备温度传感器;随光照射强度增加由0增加到25 mW·cm-2,WSe2薄膜的I-V曲线由整流特性逐步变成线性;相同偏压下光电流几乎增加了3倍,表现出较很高的灵敏度,使其在敏感光电探测器中有良好的应用前景.