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仲雪飞; 尹涵春; 王保平;
东南大学电子工程系,南京,210096;
场致发射显示板; 常开型; 后栅极; 发射特性;
机译:基于双栅极驱动原理的场致发射显示装置结构,使用多种场致发射纳米发射器实现高亮度
机译:场致发射显示板密封工艺对磷光屏阴极发光性能的影响
机译:一种制备基于TiO2的后栅极控制的N沟道MSM-IGFET UV光电探测器的简单方法
机译:常开型GaN高电子迁移率晶体管的谐振栅极驱动器
机译:基于碳纳米管薄膜的场致发射器和超级电容器。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:LaAlO3 / SrTiO3介面的栅极可调,常开至常关忆阻过渡
机译:优化碳纳米管基纤维场致发射特性的平台(后印刷)。
机译:内置式常开型晶体管功率变换器的栅极驱动电路及其方法
机译:常开型晶闸管的栅极关断驱动电路
机译:以及一种集成电路存储器件,其包括具有写访问晶体管和单独的读取和(GLTRAM)单元的基于相同的栅极型基于横向晶闸管的随机存取存储器
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