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何军辉; 朱骏; 毛翔宇; 陈小兵; 叶志镇;
扬州大学物理科学与技术学院;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
LiNbO_3薄膜; c轴取向; 光波导; PLD技术; 硅基;
机译:非晶SiO_2缓冲层上高C轴取向LiNbO_3薄膜及其生长机理
机译:具有ZnO缓冲层的Si上高近轴取向铁电LiNbO_3薄膜的生长
机译:氧气压力对脉冲激光沉积法在SiO_2 / Si衬底上LiNbO_3薄膜c轴取向生长的影响
机译:PLD在双轴纹理NI磁带上高JCYBCO薄膜CEO_2电影的生长取向和表面形态
机译:第一部分:反应共蒸发的超导钇钡钡铜氧化物薄膜的生长和性能。第二部分新型几何形状的非晶态超导/标准金属多层。
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:使用HVPE生长的GaN体靶,通过激光分子束外延在蓝宝石(0001)上高度c轴取向生长GaN膜
机译:通过分子束外延生长的高矫顽力,c轴取向的Nd(sub 2)Fe(sub 14)B薄膜
机译:用于制造sio_2薄膜的材料的方法和使用相同的sio_2薄膜的方法
机译:非晶态氧化物半导体薄膜,非晶态氧化物半导体薄膜的制造方法,薄膜晶体管的制造方法,场效应晶体管,发光装置,显示装置以及溅射靶
机译:非金属籽晶通过表观生长晶化非晶态半导体薄膜的方法及制备多晶硅薄膜晶体管的方法
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