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黄晓东; 黄德修; 刘雪峰;
华中理工大学光电子工程系;
超晶格材料; InGaAsP; 量子阱混合; 二氧化硅;
机译:使用介电膜混合InGaAsP / InGaAsP量子阱结构
机译:使用低温生长的外延层或SiO_2盖对GaAs结构中的量子阱混合进行比较
机译:带隙位移的InGaAs / InGaAsP / InP微结构经紫外激光量子阱混合处理后增强了光致发光发射
机译:通过金属 - 有机气相外延生长的GaAs基材的金属 - 有机气相外延生长的晶格畸变降低和接近应变补偿的InGaAs / InGaASP多量子阱结构
机译:截面扫描隧道显微镜研究II型超晶格和分子束外延生长的量子阱。
机译:二维横向量子阱超晶格的位错驱动生长
机译:利用氧化钛表面应力引发强迫点缺陷扩散,增强Inp / InGaas / InGaasp异质结上的量子阱混合
机译:热混合量子阱和超晶格的光学特性
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译:高能离子注入法制备晶格状INGAAS / INGAASP多量子阱结构的光电器件外延结构及其制造方法
机译:制备的应变控制原子层外延,量子阱和超晶格及其用途
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