C波段3.5W/mm,PAE>40的InGaP/GaAs HBT功率管

申华军; 陈延湖; 严北平; 葛霁; 王显泰; 刘新宇; 吴德馨

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通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.

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来源
《半导体学报：英文版》 |2006年第9期|1612-1615|共4页
作者
申华军; 陈延湖; 严北平; 葛霁; 王显泰; 刘新宇; 吴德馨;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
InGaP/GaAs; 异质结双极晶体管; 功率管;

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