钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文)

摘要

借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eV处,其电子俘获截面分别为7.0×10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4 H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.16eV处。结果表明,在n型4 H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.