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硅／多孔硅异质结光生电压谱研究

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摘要

首次报道硅／多孔硅异质结光生电压谱，发现多孔硅的激发能有不连续性，表明多孔硅量子点由一层层硅原子有序排列而构成，其尺寸分布是不连续的，其差值为硅晶格常数的整数倍，光生电压谱是研究多孔硅和硅／多孔硅异质结能带结构的有效方法．

著录项

来源
《半导体学报》 |1994年第7期|496-500|共5页
作者
阎锋; 鲍希茂;
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作者单位

南京大学物理系和固体微结构实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
硅; 多孔硅; 异质结; 光生电压谱;

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