一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

摘要

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-V特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-V特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.