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一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法

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提出了一种快速精确地提取GaAsMESFET寄生参数方法.这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAsMESFET的九个寄生参数.该方法适用范围广.以一个0.3μm×280μm商用器件的一组寄生参数为基础,对该方法进行了验证.

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来源
《半导体学报》 |2005年第4期|760-763|共4页
作者
刘桂云; 张义门; 张玉明;
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作者单位

西安电子科技大学微电子所;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
GaAs; MESFET; 寄生参数; 提取参数;

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