变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性

摘要

通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25-200℃之间的变化，分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律，得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成，沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论，同时，证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因。