离子注入硅形成绝缘埋层的红外反射谱分析

摘要

高剂量、大束流的O^+或N^+注入硅中经高温退火后能形成质量很好的SOI(Silicon onInsulater)材料。在波数范围为5000—1500cm^(-1)的红外波段内,硅及SiO_2或Si_3N_4绝缘埋层对红外光均无吸收。采用计算机模拟不同处理条件下的样品在该波段范围的红外反射谱,得到了样品的折射率随深度的变化关系,所得结果与透射电子显微镜、离子背散射等方法所得的分析结果符合得很好。