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刘喆; 王晓亮; 王军喜; 胡国新; 李建平; 曾一平; 李晋闽;
中国科学院半导体研究所;
材料科学中心;
北京;
100083 中国科学院半导体研究所;
100083;
Si衬底; AlN缓冲层; GaN; 形貌; 缺陷;
机译:Al预沉积对在Si(111)衬底上生长的AlN缓冲层和GaN层性能的影响
机译:在衬底上生长的GaN层的氯化物气体相外延的Si(111)与AlN缓冲子层
机译:MOVPE在多孔Si(111)和Si(111)衬底上生长的AlN和GaN的形貌特性
机译:在具有多个AlN缓冲层的各种生长温度的Si(111)衬底上生长的GaN膜的表征
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:使用GaSe缓冲层在Si衬底上生长GaN
机译:具有GaN层的Si器件衬底上的GaN包括10nm以下的SiNx中间层,可促进晶体生长并减少螺纹位错
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