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温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响

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提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式 ,改善了以往经验公式局限性较大的缺点 ,拓宽了公式的使用范围 .分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好 .

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来源
《半导体学报》 |2001年第9期|1122-1126|共5页
作者
金海岩; 张利春;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
掺杂浓度; 温度; 锗; 锗硅材料; 禁带宽度;

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