氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨

摘要

研究了不同氧含量的ａ－ＳｉＯｘ∶Ｈ薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Ｇａｕｓｉａｎ分谱组成．一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约８３５ｎｍ的伴峰．结合对ＩＲ谱和微区Ｒａｍａｎ谱的分析，我们认为主峰可能与膜中的ａ－Ｓｉ颗粒有关，而伴峰与Ｓｉ过剩或氧欠缺引起的缺陷有关．