RF-S01建模：一种精确的体接触RF-LDMOSFET大信号模型

摘要

提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffusedMOSFET)大信号等效电路模型.模型漏电流及偏置相关电容模型方程连续、任意阶次可导.发展出一种新的可满足电荷守恒栅源、栅漏电容模型.对漂移区电阻以及LDD(lightly doped drain)区下侧寄生效应偏置相关特性进行了考虑.对自热效应引起的热功率耗散以及跨导/漏导频率分布效应也作了考虑.模型最终应用到一20栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=50μm)体接触高阻SOI RF-LDMOSFET建模中.测量和仿真所得I-V,S参数,谐波功率特性对比结果验证了模型具有良好的精度.