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奚雪梅; 王阳元;
北京大学微电子研究所;
SOI; MOSFET; 薄膜; 浮体效应; 抑制优化;
机译:载流子复合对SOIMOSFET浮体效应的影响
机译:肖特基源漏结构抑制多晶硅薄膜晶体管中的浮体效应
机译:使用核探针研究的通过部分沟槽隔离制造的束缚结构对SOI SRAM中浮体效应引起的软错误的抑制作用
机译:用于抑制边缘效应的改进型FD SOIMOSFET的制造
机译:具有抑制的浮体效应的低压SOI MOSFET
机译:Goldilocks效应在苯乙醇胺N-甲基转移酶的有效和选择性抑制剂设计中的应用:平衡pKa和立体效应在通过β-氟化优化3-甲基-1234-四氢异喹啉抑制剂中
机译:使用GIDL电流技术分析薄膜常规和单口袋SOI MOSFET中的浮体效应
机译:高速喷射噪声源位置和减少任务3.抑制原理的实验研究第三卷。抑制器概念优化
机译:用于对表面进行微观研究的粘合膜运输的薄膜测试,包括薄膜,这些薄膜的特征在于优化了对表面微生物的研究
机译:包括能抑制浮体效应的垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法
机译:制造SOI MOS器件结构以抑制浮体效应的方法
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