退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
陈朝; 王健华;
集成光电子学国家重点联合实验室清华大学实验区清华大学电子工程系;
厦门大学物理系;
砷化镓; MOCVD; 外延层; 少子扩散长度;
机译:通过分子束外延(MBE)在p-Si衬底的粗糙表面上生长n-GaAs层,用于光伏应用
机译:用光学技术确定蓝宝石上MOCVD生长的GaN外延层中载流子扩散长度
机译:通过液相外延制备N-INSB / P-GAAs异质结的结构和电气特性
机译:用于高浓缩光伏应用中的中间层的P-GaAs / N-GaAs隧道结的数值分析
机译:热扩散聚合物光伏中供体和受体层的厚度,形态和分子结构的影响。
机译:石墨烯量子点在有源层中的双重作用反向大容量异质结有机光伏器件的制造
机译:通过溶剂蒸发通过液相外延生长用于光伏应用的薄硅层
机译:具有通过液相外延生长的In0.53Ga0.47as接触层的N / p Inp同质结太阳能电池
机译:平坦化结构的外延层以形成例如光伏电池的方法光伏领域,涉及去除掩蔽层以获得外延层的表面,该外延层的突起的高度低于高度阈值
机译:一种用于具有嵌入扩散层的外延硅晶片中的硅外延层的膜厚测量装置和膜厚测量方法,以及用于使用该膜厚测量装置或膜厚测量方法制造具有嵌入扩散层的外延硅晶片的方法。
机译:具有pn结的光电元件-在衬底上具有外延层,在外延层上具有相反导电性的扩散层
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。