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陈蒲生; 杨光有;
华南理工大学物理系;
热电子注入; 热氮化; SiON膜; 陷阱;
机译:循环热电子注入编程/热孔擦除的氧化硅-氮化物-氧化物-硅存储器中的陷阱产生
机译:快速热退火温度对氮化硅膜中嵌入的Tb离子的光致发光的影响
机译:膜再氧化对氨快速热氮化生长超薄电介质生长和材料性能的影响
机译:离子注入和热退火对非晶氮化硅膜光致发光的影响
机译:镧系元素离子注入对氮化硅膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光的影响。
机译:通过超快速热调制显微镜跟踪时空中超快速的热电子扩散
机译:雪崩诱导的热电子注入和陷阱在p-si上的栅氧化层
机译:涡流循环对湍流边界层单膜冷却孔和一排膜冷却孔内注入剂的影响。第1部分。涡旋下冲下喷射。
机译:在PMOS区域上形成没有衬里氮化物膜的隔离膜的方法,能够通过PMOS区域来改善热电子诱发的冲孔的降解,而不会降低刷新特性
机译:利用快速热氮化制造用于低泄漏高电容膜的堆叠层Si.sub.3 N.sub.4的方法
机译:利用氧化膜和氮化膜结合的空间制造电荷陷阱型非易失性存储器的方法
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