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白鲜萍; 班士良;
内蒙古大学理工学院物理系;
异质结; 电子迁移率; 压力效应;
机译:在超浅全外延金属栅极GaAs / Al_xga_(1-x)中的高电子迁移率和低噪声量子点接触作为异质结构
机译:GaAs / Al_xGa_(1-x)As二维电子系统中的自旋间隙在弱磁场中的单个异质结
机译:掺杂浓度不同的Al_xGa_(1-x)As梯度层的InGaP / Al_xGa_(1-x)As / GaAs异质结双极晶体管的综合研究
机译:分析InGaP / GaAs异质结双极晶体管的改进直流和AC性能,具有渐变的AL_XGA_(1-X)作为发射器/基础异质结的层
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管和4H-碳化硅异质结二极管中的纳米晶金刚石薄膜集成。
机译:MoS2 / GaAs异质结中的大横向光伏效应
机译:7.低电子浓度GaAs / Al_xGa_ <1-x>作为异质结样品中分数量子霍尔效应的测量(自然科学研究生院,物理系,硕士论文/摘要(1989))
机译:在反向al(x)Ga(1-x)as / Gaas异质结中实现高迁移率。 (重新公布新的可用性信息)。
机译:具有Al x Ga 1-x As--AlAs-- GaAs异质结的半导体器件
机译:利用形成用于形成异质结双极晶体管的材料的抱怨衬底的结构和方法来制造异质结双极晶体管和高电子迁移率晶体管
机译:异质结场效应晶体管的基体,异质结场效应晶体管的制造方法以及异质结场效应晶体管
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