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孙凯; 徐万劲; 冉广照;
北京大学物理学院介观物理国家重点实验室;
富硅氮化硅; Er; Ni; 光致发光;
机译:PECVD生长的富硅氮化硅薄膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光特性的退火温度依赖性
机译:环境氧压对通过激光烧蚀Si + Er靶而生长的掺Er的富硅氧化硅薄膜的1.54μm光致发光的影响
机译:富硅氮化硅薄膜的化学计量对其光致发光和结构性质的影响
机译:富硅氮化硅热退火制备的氮化硅嵌入硅纳米晶体的光致发光
机译:镧系元素离子注入对氮化硅膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光的影响。
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:富硅和富氮氮化硅薄膜的强室温光致发光
机译:氢化富氮非晶氮化硅薄膜中光诱导缺陷的微观起源。
机译:等离子体增强的化学气相沉积法,从环状有机硅氮前体中氮化硅薄膜
机译:硅量子点的强烈光致发光增强,这是由于硅纳米粒子存在于二氧化硅中。
机译:可重复使用的氮化硅陶瓷坩埚可用于制备单晶或多晶半金属体,例如:来自熔体的硅锭,包括通过热氧化氮化硅陶瓷形成的富氧表面层
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