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贾霖; 倪学文; 莫邦燹; 关旭东; 张录; 宁宝俊; 韩汝琦; 李永康; 周均铭;
北京大学微电子学研究所;
中国科学院物理研究所;
多晶硅发射极技术; 分子束外延SiGe基区; 锗硅异质结双极晶体管; 研制;
机译:集成高速Si / SiGe异质结双极晶体管的新型氧化物平面化
机译:使用氧化物平面化的Si / SiGe异质结双极晶体管的24Gbit / s解复用器IC
机译:用于SiGe异质结双极晶体管性能提高的GaP集电极开发:异质结构增长研究
机译:具有新型发射极结构的功率SiGe异质结双极晶体管的改进的热稳定性
机译:用于非平面基材的化学溶液沉积锆钛酸钛酸盐铁电薄膜的研制
机译:激发强度驱动图案化和平面Si(001)衬底上SiGe岛的PL位移:岛中富含Ge的点的证据
机译:平面磁场对孔回旋加速器质量的影响和$ g_z $因子 在高迁移率siGe / Ge / siGe结构中
机译:用于超高速逻辑的平面异质结双极晶体管的研制
机译:SiGe异质结双极晶体管多指结构
机译:具有平面和非平面结构的绝缘体上应变Si和弛豫Si或应变SiGe FET的协整方法
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