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万新恒; 张兴; 高文钰; 黄如; 王阳元;
北京大学微电子学研究所;
MOSFET; 阈值电压漂移; 辐照效应; 辐照敏感性; 辐照剂量率; CTRW模型;
机译:γ辐照N沟道MOSFET漏极电流和阈值电压的SPICE模型提取参数
机译:GaAs调制掺杂场效应晶体管(MOSFET)中的高能中子辐照效应:阈值电压
机译:模拟低剂量疲劳条件下高剂量辐照对RAFM钢变形和损伤行为的影响
机译:沟道掺杂水平高导致MOSFET的量子力学阈值电压漂移
机译:富勒烯碳:在辐照和非辐照条件下生成活性氧的意义和应用
机译:辐照的乳腺组织中LINE-1的动员可能会导致低剂量辐射诱导的基因组不稳定
机译:多栅纳米线mOsFET在重离子辐照下瞬态响应的三维量子数值模拟
机译:估计mOsFET的低剂量率辐照响应
机译:电子束辐照装置和电子束辐照管的漂移管
机译:光伏装置的电流-电压特性的测量方法,用于测量的太阳模拟器以及用于太阳模拟器的用于设置辐照度的模块和用于调节辐照度的部件
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