Cr_2AlC中空位相关属性及电子结构的第一性原理研究

摘要

通过第一性原理研究了Cr_2AlC中空位对其结构和电子性质的影响.在Cr_2AlC中,Cr,Al和C空位形成能分别为1.15eV(Cr-poor)、-1.93eV(Cr-rich),2.02eV(Al-poor)、-4.38eV(Al-rich)和1.14eV(C-rich)、-3.05eV(C-poor).计算结果表明,Al空位的形成能相对较大,这意味着在Cr_2AlC中,Al空位最不容易形成;在一定温度下,Cr_2AlC中Al空位的浓度较低;通过态密度的研究发现,在Cr_2AlC中,Cr-C共价键和Cr-Al金属键共存;当形成Al空位时,Cr_2AlC的导电性明显降低.