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利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

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为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火( RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪(XRD)和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.

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来源
《南阳师范学院学报》 |2011年第6期|28-30|共3页
作者
王红娟; 黄义定;
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作者单位

南阳师范学院物理与电子工程学院,河南南阳473061;

南阳师范学院物理与电子工程学院,河南南阳473061;

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正文语种 chi
中图分类 TM23;
关键词
PECVD; 非晶硅薄膜; 快速热退火;

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