退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
薛召南; 李麓维;
硅化物; 薄膜; 生长; Co/Si界面;
机译:在(111)Si上对Ni-Pt,Ni-Pd系统固溶体薄膜和两层Pt / Ni异质结构薄膜退火后形成硅化物
机译:低温沉积Fe / Si(111)薄膜的生长和磁性作为抑制硅化物形成的中间层
机译:Ni-Pt和Ni-Pd固溶薄膜以及(111)Si上Pt / Ni双层热处理过程中硅化物的形成
机译:在Si(111)和通过电子束蒸发制备的Si(111)和Ai_2O_3(0001)衬底上生长的均匀MgB_2薄膜和原位退火方法
机译:掺硼硅(111)表面结构和金属硅化物界面形成的研究。
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射退火后处理和表征
机译:用X射线衍射研究Si(111)上外延硅化物的界面结构
机译:si(111)/电解质和si(111)/ siO2 /电解质界面的表面二次谐波研究。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有在衬底中形成的硅化物层完全占据的非晶层和(111)硅平面的界面结的半导体器件
机译:NiSi膜的形成方法,硅化物层的形成方法,硅化物退火金属膜的形成方法,真空处理装置及成膜装置
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。