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王巍; 唐建国;
南京师范大学物理科学与技术学院;
应力; 谐振频率; 磁电耦合; 磁电容;
机译:Ni / Pb(Zr,Ti)O3 / Terfenol-D三层复合材料在不同机械边界条件下的共振磁电效应
机译:Pb(Zr,Ti)O_3 / Terfenol-D层状复合材料在磁场下共振频率附近的磁电特性
机译:Ni / Pb(Zr,Ti)O_3 / Terfenol-D三层复合材料在不同机械边界条件下的共振磁电效应
机译:纳米Pb(Zr 0.52 inf> Ti 0.48 inf>)O 3 inf> -Fe 85 inf> B 5的巨磁电效应 inf> Si 10 inf>悬臂和谐振门晶体管
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:La0.7Sr0.3MnO3 / Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 / La0.7Sr0.3MnO3多铁异质结构中的磁电容
机译:单周期Pb(Zr,Ti)O-3棒与Terfenol-D /环氧树脂的单周期1-3型结构的复合材料的磁电性能
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
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