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赵臣凯; 吴新科;
浙江大学 电气工程学院,浙江 杭州310027;
图腾柱BoostPFC; 临界导通模式; 反向恢复;
机译:了解诸如导通电压和反向恢复时间之类的参数,这些参数会对发热量产生很大影响-实验之前-实验之后-电源电路二极管和MOSFET之后-实验之前
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:半超结MOSFET:新设计理念可降低导通电阻并提供更软的反向恢复体二极管
机译:在动态雪崩期间抑制通道导通,以改善高密度功率MOSFET坚固性和反向恢复柔软度
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有超越1D限制的RSP-BV折衷和卓越的反向恢复特性的新型功率MOSFET
机译:具有超越1D-LIMIT RSP-BV权衡和卓越的反向恢复特性的新型电源MOSFET
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发
机译:具有统一击穿电压和导通电阻特性的沟槽栅极累积模式SIC MOSFET自对准通道的制造方法
机译:用于控制并联电源开关的方法,例如车辆的MOSFET涉及在关断模式下先于一个开关先导通另一开关,然后在另一模式下先导通后者的开关。
机译:用于抑制电压波动而不会产生不利影响的半导体组件结构采用了具有PN过渡,高转换电压和快速反向恢复特性的二极管。
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