利用漫反射光谱研究SrAl2O4长余辉材料中Dy3+和Eu2+相关陷阱能级

摘要

在长余辉发光物理机制的研究中,确定发光材料中的缺陷能级是非常重要的.本文通过高温固相法制备了两组SrAl2 O4:Dy3+和SrAl2 O4:Eu2+样品,并采用漫反射光谱测定了SrAl2 O4中一系列与Dy3+和Eu2+相关的吸收峰.对于SrAl2 O4:Dy3+和SrAl2 O4:Eu2+,在其吸收谱的较低能量(长波长)和较高能量(短波长)区域内分别存在一组吸收峰.通过这些吸收峰可确定Dy3+和Eu2+掺杂在SrAl2 O4带隙中引入的陷阱深度.结果表明Dy3+离子能够在SrAl2 O4中形成浅能级和深能级陷阱,而E u2+离子仅会形成浅能级陷阱.与文献报道的陷阱相比较,这些陷阱大部分和其它方法测得的数据相一致,小部分则是首次报道,可能是其它方法的测试范围所限而无法测得.我们认为距离导带0.6至1.2eV范围内的Dy3+相关陷阱在SrAl2 O4:(Eu2+,Dy3+)长余辉发光过程中起着关键的作用.