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张明; 于万里; 贾晓鹏; 马红安; 黄万霞; 袁清习;
燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004;
吉林大学,超硬材料国家重点实验室,长春,130023;
中国科学院,高能物理研究所,北京,100039;
合成金刚石; 同步辐射; 位错; 形貌像; 生长带;
机译:利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨
机译:使用同步加速器X射线形貌表征通过边缘界定的薄膜进料生长和卤化物气相外延生长的β-Ga_2O_3单晶中的晶体缺陷
机译:同步加速器X射线形貌和阴极发光表征同质外延金刚石膜中的晶体缺陷
机译:同步辐射X射线形貌观察绝缘子晶片上超临界厚度应变硅的晶体缺陷
机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:同步辐射法射频溅射WC-Co薄膜的结构和形貌数据集
机译:同步辐射。 IV。同步辐射的物理性质研究。 6.使用成像板通过平面波X射线形貌的生长硅单晶的晶格变形分析。
机译:晶界的同步辐射X射线形貌研究
机译:晶体缺陷的X射线形貌测定法所具有的位错线是面内单晶样品
机译:使用X射线束设备研究晶体缺陷
机译:表面声波与晶体缺陷相互作用的研究
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