交换偏置增强反铁磁FeMn薄膜稳定性研究

代波; 蒋庆林; 倪经

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交换偏置增强反铁磁FeMn薄膜稳定性研究

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采用磁控溅射方法制备了基片/Ta/NiFe(Ⅰ)/FeMn(Ⅰ)/ NiFe(Ⅱ)/FeMn(Ⅱ)/Ta系列样品.实验发现,如果只是NiFe/FeMn交换偏置双层膜,在FeMn厚度大于3.5nm时才产生交换偏置.由于与NiFe之间的交换作用,即使2nm厚的FeMn(Ⅰ)也可以对NiFe(Ⅰ)产生交换偏置.结果表明,可以通过铁磁/反铁磁的交换耦合作用来增强反铁磁FeMn的稳定性.

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来源
《磁性材料及器件》 |2010年第4期|20-23|共4页
作者
代波; 蒋庆林; 倪经;
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作者单位

西南科技大学,材料科学与工程学院,四川绵阳,621010;

西南科技大学,材料科学与工程学院,四川绵阳,621010;

西南应用磁学研究所,四川绵阳,621000;

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正文语种 chi
中图分类磁性材料;薄膜的性质;
关键词
反铁磁材料; 交换偏置; 磁控溅射; 钉扎场;

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