GaN薄膜拉曼散射光谱的研究

冯倩; 郝跃; 刘玉龙

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GaN薄膜拉曼散射光谱的研究

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利用拉曼散射光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂GaN薄膜特性进行研究发现E2模式向频率低的方向漂移表明在GaN薄膜中存在张力,由于SiC衬底不平整度增加引起更多位错的出现,从而引起拉曼谱中E2模式的加宽,因此通过选择平整度较好的衬底可以减小缺陷密度,提高薄膜的质量,此外A1(LO)模式的出现与强度可以用来表征未掺杂GaN的薄膜质量.

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来源
《光散射学报》 |2003年第3期|175-178|共4页
作者
冯倩; 郝跃; 刘玉龙;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

中科院物理所,光学开放实验室,北京,100080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类拉曼光谱分析法;
关键词
氮化嫁; 碳化硅; 异质外延; 拉曼散射;

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