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高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

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摘要

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法.在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中.据此生产的样品的实验结果表明,对于500V/2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50%,体二极管的恢复因数增大了60%.

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来源
《辽宁大学学报：自然科学版》 |2006年第1期|38-41|共4页
作者
石广源; 张俊松; 张雯; 闫冬梅;
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作者单位

辽宁大学物理系;

辽宁大学法学院;

辽宁大学信息学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
体二极管; 恢复速度; 肖特基接触; VDMOSFET;

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