不同方向外电场下SiF2分子激发特性

摘要

以6-311++g**(3df,3pd)为基组,采用B3P86方法研究了SiF2分子在y、z轴方向的外电场(-0.05～0.05 a.u.)下的几何参数、能量、电子结构和能级;在此基础上,采用CIS-B3P86方法研究了外电场下分子的激发特性.结果表明:分子基态参数随电场变化明显.如z方向电场使键长和偶极矩不断减小,总能量先减少后增加,能隙不断减少.激发态的激发能和激发波长随外电场大小和方向变化明显,振子强度受电场方向的影响从而改变了分子的跃迁性能.