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退火处理对CsBr:Eu2+光激励发光性能的影响

         

摘要

采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu2+粉体,系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等,发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度,缩短其发光衰减时间.重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系,实验结果表明,退火气氛中的氧取代溴离子Br-成为替位氧离子O-s,而氢原子将进入间隙位成为间隙氧原子Hoi.替位氧离子O-s以及Hoi和Ho2i都是有效的电子俘获中心,并且它们与空穴俘获中心的形成密切相关.

著录项

  • 来源
    《无机材料学报》 |2010年第9期|952-956|共5页
  • 作者单位

    中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200050;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200050;

    中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200050;

    中国科学院,上海硅酸盐研究所,特种无机涂层重点实验室,上海,200050;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 材料;
  • 关键词

    CsBr:Eu2+; 光激励发光; 退火; 电子/空穴俘获中心;

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