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周昌鹤; 杨建荣; 周梅华; 徐超;
中国科学院大学 北京 100049;
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室 上海 200083;
碲锌镉; 腐蚀坑; 体缺陷; 延伸缺陷;
机译:通过Everson刻蚀方法对CdZnTe晶体表面从体到纳米的刻蚀坑形成进行表征
机译:(111)和(211)CdZnTe Everson蚀刻中蚀刻坑密度的方向依赖性
机译:(111)n和(211)CdZnTe Everson蚀刻中蚀刻坑密度的方向依赖性
机译:HgCdTe(112)红外探测器结构在MBe生长的Si(112)衬底上
机译:South Everson Creek采石场的成本效益关系。
机译:表面能还原驱动的坑纹Si(001)衬底的形态演变
机译:基于X-112°Y LiTaO3衬底的新型声表面波陀螺仪的研制
机译:在(112)衬底上生长的Gaas / Ga(1-x)/ Inxas应变层超晶格中的应变释放。
机译:可以在面对衬底的表面上布置用于保护所施加的衬底的表面上的α的方法,所述衬底的暴露于含金属的天气结构的表面免受腐蚀侵害的方法以及用于在其中一个湿度传感器上进行操作的方法。
机译:通过硅工艺在硅衬底后表面上腐蚀硅的腐蚀液以及使用腐蚀液通过硅来制造通过硅芯片的半导体芯片的方法
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