n型AlAs／GaAlAs量子阱子带间正入射吸收跃迁振子强度

摘要

对ｎ型电子有效质量各向异性半导体量子阱，给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式。这种子带间的跃迁有束缓缚基态到束缚的激发激态的，有束缚基态到扩展的激发态的，以ＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ为例研究了量子阱生长方向，阱宽对量子阱吸收波长和振子强度的影响。