GaP：N液相外延层中杂质对PL谱的影响

摘要

借助低温光致发光方法测量了ＧａＰ：Ｎ双液相外延材料ＰＬ谱，结果表明：辐射复合效率高的材料ＰＬ谱基本上由孤立Ｎ和ＮＮｉ等束缚子尖锐峰组成；发光效率低的ＰＬ谱含有ＤＡ对辐射跃迁上的钟形谱上迭加ＮＮｉ峰，分析了谱峰的性质，阐明了提高ＧａＰ：Ｎ外延片发光效率的制备工艺途径。