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陈源; 冉广照; 戴伦; 袁放成; 秦国刚; 马振昌; 宗婉华; 吴正龙;
北京大学物理系,北京,100871;
河北半导体研究所,砷化镓集成电路国家实验室,河北,石家庄,050051;
北京师范大学测试中心,北京,100875;
Er3+,氧化硅,纳米硅,电致发光;
机译:关于电致发光的在击穿模式的性质,对掺铒的硅结构上1.5mkm波长反向偏置c。通过升华MBE获得p-n结
机译:注入硅和等离子体增强化学气相沉积生长的富硅SiO_2的氧缺陷和与Si纳米晶体相关的白光和近红外电致发光
机译:硅氧化硅纳米水硫化 - 空间监控效应的硅氧钛纳米辊的尺寸可控合成
机译:掺铒硅纳米团簇中的能量转移:富含含硅二氧化硅和硅纳米粉粉的比较
机译:用于新型基于无机硅纳米晶体的电致发光器件的硅纳米晶体的飞行中气相钝化。
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:二氧化硅中掺铒硅纳米晶体的发光:激励机制
机译:光子晶体纳米波腔中掺铒氮化硅透明度的观察
机译:具有中禁带过渡层的硅纳米晶嵌入氧化硅膜的电致发光元件的制造方法及电致发光元件的操作方法
机译:用于制造硅纳米结构,硅氧碳化物纳米结构,由相同硅藻土制造的硅纳米结构以及包含硅纳米结构的锂二次电池的简化方法
机译:纳米结构例如用于纳米电子领域的硅纳米结构具有覆盖结构例如银的银沉积物。硅原子线,并覆盖碳化硅表面的硅原子和在表面形成的硅线
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