基于SOI材料的阵列波导光栅的制作

方青; 李芳; 刘育梁

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基于SOI材料的阵列波导光栅的制作

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采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为0.7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能.

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来源
《红外与毫米波学报》 |2005年第2期|143-146|共4页
作者
方青; 李芳; 刘育梁;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,光电子研发中心,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,光电子研发中心,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,光电子研发中心,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类光波导;
关键词
复用/解复用器; 阵列波导光栅(AWG); 信道间隔; 中心波长; 相邻信道串扰;

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