电子束辐照对Poly-SiO2/Si结构平带电压的影响

向少华; 谢茂浓; 张明高

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电子束辐照对Poly-SiO2/Si结构平带电压的影响

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利用剂量为1013 cm～1016 cm-2,能量为0.4 Mev～1.8 Mev的电子束辐照Poly-SiO2/Si结构,对辐照后样品进行了C-V特性曲线测试.测试结果表明,高能电子束辐照Poly-SiO2/Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加而发生漂移,但其漂移量低于同一实验环境中干氧氧化生长的SiO2/Si结构.

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来源
《怀化学院学报》 |2003年第5期|32-35|共4页
作者
向少华; 谢茂浓; 张明高;
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作者单位

怀化学院,物理系,湖南,怀化,418000;

四川大学,物理系,四川,成都,610064;

四川大学,物理系,四川,成都,610064;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;射线与物质的相互作用;
关键词
电子辐照效应; 聚硅烷; 平带电压; 氧等离子体;

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