NiS修饰的ZnIn2S4光催化剂可见光下选择性氧化芳香醇

摘要

为了研究硫化物助催化剂对主体催化剂的光催化性能的影响,文章通过化学回流法和微波辅助法制备了一系列NiS助催化剂修饰的ZnIn2S4光催化剂.采用X射线衍射,X射线光电子能谱,和透射电镜对所合成材料的结构,元素组成和微观形貌进行了表征.在可见光照射作用下,通过光催化选择性氧化芳族醇到相应的醛来评价合成样品的光催化性能.结果 表明,随着NiS负载量的增加,ZnIn2S4样品的光催化活性先提高后降低.当NiS的负载量为1.0 wt％(即1.0wt％NiS/ZnIn2S4)时,其光催化性能达到最高.ZnIn2S4样品光催化性能增强可能归因于添NiS后光生电子和空穴的有效空间分离.