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杜洪洋; 徐伟; 宋玲玲; 仇怀利; 李中军; 黄荣俊;
合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
分子束外延(MBE); Bi; 2Se; 3异质薄膜; 霍尔电阻; 磁电阻;
机译:Mn掺杂对Bi2Se3拓扑绝缘体薄膜超快载流子动力学的影响
机译:溅射功率和压力对磁控溅射制备的拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜形态和电气传输性能的影响
机译:Sb和Pb在外延拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜中的掺杂效应:原位角分辨光发射光谱研究
机译:Thz-LSPR在微结构中的实验证据图案化Bi2Se3拓扑绝缘体薄膜
机译:表征原始拓扑绝缘体Bi2Se3中的异常行为。
机译:通过扫描X射线纳米束显微镜和电子背散射衍射在拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3外延薄膜中进行双畴成像
机译:通过氧化层的拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜在拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜中提高了光引的载体产生效率
机译:利用时间分辨光电子能谱区分拓扑绝缘体Bi2se3中的体积和表面电子 - 声子耦合。
机译:通过脉冲激光沉积制备掺有过渡金属的ZNSNSBand MNGESB()薄膜的方法()
机译:制造掺有MNs的ZnS薄膜的方法
机译:掺金属氧化镓铁薄膜的制备方法和掺金属氧化镓铁薄膜的制备方法
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