氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

陈洪建; 张维连; 陈贵峰; 李养贤

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氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

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氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.

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来源
《河北工业大学学报》 |2007年第2期|15-19|共5页
作者
陈洪建; 张维连; 陈贵峰; 李养贤;
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作者单位

河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130;

河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130;

河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130;

河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
GaN; 自支撑GaN; HVPE; 金属有机化学气相沉积(MOCVD);

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