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周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩;
广西大学物理科学与工程技术学院;
广西大学行健文理学院;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室;
中国科学院半导体研究所新材料部;
量子阱; 二维电子气; 磁输运; 零场自旋分裂;
机译:In0.52Al0.48As / In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As量子阱结构中的电子-声子相互作用研究
机译:In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As异质结构中的零场自旋分裂:带非抛物线效应和子带依赖性
机译:IN0.53GA0.47AS / IN0.52AL0.48AS异质结光学检测到的回旋共振谱中子带间自旋分裂交叉的观察
机译:In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As多量子阱中的非抛物化价子带的透射光谱
机译:磁场中双量子阱中二维电子气的孤子激发。
机译:GaAs / AlGaAs二维电子气体中外在光诱导的逆自旋霍尔效应的观察
机译:在In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As量子阱的方环阵列中观察到的自旋干涉效应的半经典解释
机译:分子束 - 外延生长条件对In0.52al0.48as / In0.53Ga0.47as共振隧穿二极管电学特性的影响
机译:半导体纳米异质结构In0.52Al0.48As / InXGa1-XAs C复合有源区In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As C两次插入InAs
机译:在二维电子气中,它是核自旋操纵装置的零量子霍尔效应状态,其中核自旋操纵
机译:使用二维电子气的核自旋操纵方法和使用相同方法的核自旋操纵装置
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