多弧法沉积Ti（C,N）膜中的CN相

摘要

在高速钢基片和〈１００〉单晶硅片上，用多弧法在Ｃ２Ｈ２，Ｎ２，Ａｒ的气氛中电弧蒸发Ｔｉ靶来制备沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜。总气压在１．２Ｐａ内，起始镀膜温度为２６０℃。Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜的晶格取向以除了〈１１１〉，〈２００〉，〈２２０〉外，还出现一些新的衍射峰，配合ＸＰＳ成份分析，本文认为Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜中有ＣＮ结构相存在。随着Ｃ２Ｈ２／Ｎ２流量比的增加，膜中增加了ＴｉＣ、ＣＮ结构超硬相和石墨相，从而导致